中国DRAM厂商在美国制裁下努力扩大DRAM产能

据朝鲜日报报道，随着全球半导体行业的竞争加剧，中国DRAM厂商在面对美国持续加码的制裁措施时，正在努力克服困难，力求扩大其DRAM产量。尽管受到美国制裁的影响，这些厂商仍希望通过积极的投资和自主研发，逐步缩小与国际领先企业如三星电子和SK海力士之间的差距。
业内消息显示，中国DRAM厂商原本计划通过大规模设施投资，在今年底实现每月30万片晶圆的生产能力。然而，由于美国制裁措施的实施，预计实际产能将仅能达到每月约25万片晶圆，比原定目标低10%以上。当前，中国DRAM厂商的月产能约为20万片晶圆。
中国DRAM厂商不仅通过激进的价格策略在DDR4等传统存储市场中占据了更多份额，同时也在加速推进DDR5等先进存储产品的量产。根据市场研究公司Counterpoint Research的数据，中国DRAM厂商在全球DRAM市场的份额（基于出货量）预计将从目前的7%增长至2027年的10%。这表明，尽管面临挑战，中国DRAM厂商正快速逼近通用DRAM市场，并且在高带宽内存（HBM）领域的竞争也日益激烈。
为了进一步稳固其市场地位，中国DRAM厂商正在加大研发力度，致力于提高包括DDR5在内的DRAM产品的良品率，并开发用于AI加速器的核心存储半导体——HBM。虽然华为等中国人工智能芯片设计公司正在加紧开发能够运行AI模型的芯片，但由于关键部件HBM已被列入美国出口管制名单，这些公司遇到了供应难题。一位业内人士指出，“鉴于华为等中国企业对HBM的需求增加，中国存储器厂商也在积极参与HBM3（第四代HBM）的研发工作。”
然而，随着中国存储器厂商可能被列入美国商务部工业与安全局（BIS）的“实体清单”，未来获取应用材料、泛林集团等国外先进设备的能力将受到限制。据报道，多家向中国存储器厂商提供设备的美国公司的工程师已经停止了服务支持。由于进口先进DRAM生产所需的外国半导体设备受限，产能扩张速度预计会放缓。
现代研究中心主任卢根昌表示：“尽管中国DRAM厂商在DRAM市场上的影响力不断增强，但随着被列为美国出口管制对象，未来进口外国设备将变得更加困难，产能下降幅度可能会超过预期。”此外，另一位行业专家提到，“尽管中国企业正在加快半导体设备的国产化进程以应对美国的出口限制，但在先进DRAM制造方面，仍然高度依赖于外国设备。因此，随着美国制裁的加强，不仅产能扩张面临挑战，HBM的发展也将不可避免地受到影响。”
面对这一局势，中国存储器厂商必须继续探索自主创新的道路，同时寻求国际合作的新途径，以确保技术进步和市场份额的增长。